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導(dǎo)讀： 先進(jìn)邏輯工藝自28納米節(jié)點(diǎn)分野之后，F(xiàn)inFET與FD-SOI工藝的爭論就開始出現(xiàn)。兩大工藝均家支持者，英特爾與臺積電是FinFET路線的堅定支持者，二者目前均無發(fā)展FD-SOI工藝的計劃。?

OFweek電子工程網(wǎng)訊 格羅方德（GLOBAL FOUNDRIES）落戶成都，并宣布將以格芯作為FD-SOI工藝生產(chǎn)中心，再度引發(fā)半導(dǎo)體技術(shù)圈對FinFET與FD-SOI工藝的爭論。
FinFET與FD-SOI各有支持者
先進(jìn)邏輯工藝自28納米節(jié)點(diǎn)分野之后，F(xiàn)inFET與FD-SOI工藝的爭論就開始出現(xiàn)。兩大工藝均家支持者，英特爾與臺積電是FinFET路線的堅定支持者，二者目前均無發(fā)展FD-SOI工藝的計劃。
此前曾傳言，臺積電近期也計劃發(fā)展FD-SOI工藝，但在2016年ICCAD期間，臺積電南京總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球，否認(rèn)了這一傳言。羅鎮(zhèn)球說：“我們一直覺得FDSOI是一個暫時的產(chǎn)物。在CMOS領(lǐng)域一直往下走，功耗一直降低，速度一直提升。FDSOI我們沒有要做，經(jīng)過多次評估，一看再看，覺得FD-SOI我們不會做。它做不贏我們的FinFET。”
羅鎮(zhèn)球表示FD-SOI工藝只是一個過渡產(chǎn)物。“我們評估過很多次，一看再看，還是覺得我們不會做FD-SOI。”羅鎮(zhèn)球指出，無論是技術(shù)指標(biāo)還是經(jīng)濟(jì)規(guī)模，F(xiàn)D-SOI工藝都不占優(yōu)。“FD-SOI一是技術(shù)不占優(yōu)，一是經(jīng)濟(jì)規(guī)模不夠，兩條加起來那條路就很難走，而且FD-SOI的成本也不低，SOI硅片就比普通硅片貴很多”。
目前全球四大半導(dǎo)體代工廠中的兩家——三星及格羅方德——已經(jīng)宣布計劃量產(chǎn)并采用FD-SOI晶圓進(jìn)行多項試產(chǎn)（即tape-out，指硅芯片從設(shè)計到制造的這一步驟）也是FD-SOI工藝的堅定支持者。
如今，全球有三家位于三大洲的公司能夠供應(yīng)FD-SOI晶圓，包括法國Soitec、日本信越半導(dǎo)體（SHE）、美國SunEdison。這三家公司均采用了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的SOI晶園制造技術(shù)，智能剝離（Smart Cut?）。
法國Soitec已實(shí)現(xiàn)FD-SOI晶園的高良率成熟量產(chǎn)，其300mm晶圓廠能夠支持28nm、22nm及更為先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)上大規(guī)模采用FD-SOI技術(shù)。
不過SOI硅片一直無法壓低成本，目前8英寸的SOI硅片每片要300-400美元，而通常的硅片每片才30-40美元，相差十倍。因此估計SOI代工硅片價格應(yīng)該在每片1000美元左右，而中國的代工廠，8英寸硅片平均代工價格在每片約400美元。
目前中國的FD-SOI技術(shù)尚沒有實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)階段，IC設(shè)計公司可能尚處在多任務(wù)硅片MPW的設(shè)計驗(yàn)證階段。對于大陸SOI產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展需要政府部門牽頭，制定規(guī)劃，并引導(dǎo)與資金支持，目前階段不可能單靠單一廠家解決所有問題。
南京時恒（www.shiheng.com.cn），主要進(jìn)行功率型和補(bǔ)償型NTC熱敏電阻的規(guī)模化生產(chǎn)，擁有生產(chǎn)設(shè)備及自動化生產(chǎn)線300多臺套，具有成熟的生產(chǎn)工藝和完善的品質(zhì)管理，產(chǎn)能達(dá)到了10000萬只/月。